1.สารกึ่งตัวนำชนิดP(P-Type Semiconductor)
...เป็นสารกึ่งตัวนำที่เกิดจากการจับตัวของอะตอมซิลิกอนกับอะตอมของอะลูมิเนียม ทำให้เกิดที่ว่างซึ่งเรียกว่า โฮล (Hole) ขึ้นในแขนร่วมของอิเล็กตรอน อิเล็กตรอนข้างโฮลจะเคลื่อนที่ไปอยู่ในโฮลทำให้ดูคล้ายกับโฮลเคลื่อนที่ได้จึงทำให้กระแสไหลได้
2.สารกึ่งตัวนำชนิดN(N-Type Semiconductor)
...เป็นสารกึ่งตัวนำที่เกิดจากการจับตัวของอะตอมซิลิกอนกับอะตอมของสารหนู ทำให้มีอิเล็กตรอนเกินขึ้นมา 1 ตัว เรียกว่าอิเล็กตรอนอิสระซึ่งสามารถเคลื่อนที่ได้อย่างอิสระในก้อนผลึกนั้นจึงยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลได้เช่นเดียวกับตัวนำทั่วไป
3.ไดโอด(Diode)
...เป็นการนำสารกึ่งตัวนำชนิดพีและสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น มาทำการต่อให้ติดกันตามหลักของวิชาฟิสิกส์ของแข็ง โดยไดโอดจะมีความต้านทานต่ำมาก และยอมให้กระแสไหลผ่านได้ เมื่อต่อให้ศักย์ไฟฟ้าที่ปลายพีสูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ปลายเอ็น (ต่อปลายพีเข้ากับขั้วบวกและต่อปลายเอ็นเข้ากับขั้วลบ) หรือที่เรียกว่า ไบแอสตรง นั่นเอง แต่ถ้าเราต่อให้ที่ปลายพีมีศักย์ไฟฟ้าต่ำกว่าปลายเอ็น (ไบแอสกลับ) ไดโอดจะมีความต้านทานสูงมาก และไม่ยอมให้กระแสไหลผ่าน
4.ดีพลีชันริจิน(Depletion Region)
...การต่อชนสารกึ่งตัวนำทั้ง 3 ตอน ของทรานซิสเตอร์ ทำให้ระหว่างรอยต่อ PN แต่ละตอนเกิดค่าแบตเตอรี่สมมติหรือดีพลีชันริจิน ค่าดังกล่าวก็คือค่าความต้านทานตรงรอยต่อ ดีพลีชันริจินสามารถเปลี่ยนแปลงค่าได้ ตามการจ่ายแรงดันไบอัสให้รอยต่อส่วนที่ถูกจ่ายไบอัสตรงค่าดีพลีชันริจินจะลดลง และรอยต่อส่วนที่ถูกจ่ายไบอัสกลับค่าดีพลีชันริจินจะเพิ่มขึ้น
5.แอโนด(Anode)
...ถ้าขั้วนั้นเกิดปฏิกิริยาออกซิเดชั่น(จ่ายอิเล็คตรอน เช่น Zn -----> Zn2+ + 2e-)
6.แคโทด(Cathode)
...ถ้าเกิดปฏิกิริยารีดักชั่น(รับอิเล็คตรอน เช่น Cu2+ + 2e- -----> Cu)
7.ไบอัสตรง(Forward Bias)
...ให้ขา E เทียบกับขา B คือแงดันไบอัสที่ขาทั้งสองได้รับต้องไบอัสตรงทั้งคู่
8.ไบอัสกลับ(Reverse Bias)
...ให้ขา C อาจเทียบกับขา B หรือเทียบกับขา E ก็ได้ ซึ่งจะขึ้นอยู่กับการจัดวงจรขาร่วม ( Common Circuit ) ที่จัดวงจรให้ทรานซิสเตอร์ทำงาน
9.ซีนเนอร์ไดโอด(Zener Diode)
...เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่นำกระแสได้เมื่อได้รับไบอัสกลับ และระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งานได้เรียกว่า ระดับแรงดันพังทลายซีเนอร์ (Zener Breakdown Voltage ; Vz) ซีเนอร์ไดโอดจะมีแรงดันไบอัสกลับ (Vr)น้อยกว่า Vz เล็กน้อย ไดโอดประเภทนี้เหมาะที่จะนำไปใช้ควบคุมแรงดันที่โหลดหรือวงจรที่ต้องการแรงดันคงที่ เช่น ประกอบอยู่ในแหล่งจ่ายไฟเลี้ยง หรือโวลเทจเรกูเลเตอร์
10.ซีนเนอร์เบรกดาวน์(Zener Breakdown)
...ระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งาน
11.แรงดันซีเนอร์ เบรกดาวน์(Zener Breakdown Voltage)
...ระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งานได้
12.ไดโอดเปล่งแสง(Light Emitting Diode)
...LED เป็นไดโอดที่ใช้สารประเภทแกลเลี่ยมอาร์เซ็นไนต์ฟอสไฟต์ (Gallium Arsenide Phosphide ; GaAsP) หรือสารแกลเลี่ยมฟอสไฟต์ (Gallium Phosphide ; GaP) มาทำเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p และ n แทนสาร Si และ Ge สารเหล่านี้มีคุณลักษณะพิเศษ คือ สามารถเรืองแสงได้เมื่อได้รับไบอัสตรง การเกิดแสงที่ตัว LED นี้เราเรียกว่า อิเล็กโทรลูมินิเซนต์ (Electroluminescence) ปัจจุบันนิยมใช้ LED แสดงผลในเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ เช่น เครื่องคิดเลข,นาฬิกา เป็นต้น
13.แสงอินฟาเรด(Infrared Light)
...
14.แสงที่ตาคนมองเห็น(Visible Light)
... เป็นเพียงส่วนหนึ่งของคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า ในช่วงซึ่งประสาทตาของมนุษย์สามารถสัมผัสได้ ซึ่งมีความยาวคลื่นอยู่ระหว่าง 400 – 700 นาโนเมตร (1 เมตร = 1,000,000,000 นาโนเมตร) หากนำแท่งแก้วปริซึม (Prism) มาหักเหแสงอาทิตย์ เราจะเห็นว่าแสงสีขาวถูกหักเหออกเป็นสีม่วง คราม น้ำเงิน เขียว เหลือง แสด แดง คล้ายกับสีของรุ้งกินน้ำ เรียกว่า “สเปคตรัม” (Spectrum) แสงแต่ละสีมีความยาวคลื่นแตกต่างกัน สีม่วงมีความยาวคลื่นน้อยที่สุด สีแดงมีความยาวคลื่นมากที่สุด
15.แสงที่ตาคนมองไม่เห็น(Invisible Light)
...เพราะเป็นแสงที่อยู่ในย่านแสงอินฟาเรด ซึ่งขณะเปล่งแสงออกมาตาคนจะมองไม่เห็น ไดโอดเปล่งแวงชนิดนี้เรียกว่า อินฟาเรดอิมิตติ้งไดโอด
16.ทรานซิสเตอร์(Transistor)
...คือ สิ่งประดิษฐ์ทำจากสารกึ่งตัวนำมีสามขา (TRREE LEADS) กระแสหรือแรงเคลื่อน เพียงเล็กน้อยที่ขาหนึ่งจะควบคุมกระแสที่มีปริมาณมากที่ไหลผ่านขาทั้งสอง ข้างได้ หมายความว่าทรานซิสเตอร์เป็นทั้งเครื่องขยาย (AMPLIFIER) และสวิทซ์ทรานซิสเตอร์
17.ฟิลเอฟเฟคทรานซิสเตอร์(Field Effect Transistor)
...เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนําชนิดขั้วเดียว ( Unipolar ) มีลักษณะโครงสร้างและหลักการทํางานแตกต่างไปจากทรานซิสเตอร์เพราะทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนําชนิดสองขั้ว การทํางานของทรานซิสเตอร์ต้องอาศัยกระแสช่วยควบคุมการทํางาน ทั้งกระแสอิเล็กตรอนและกระแสโฮลเฟตเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนําอีกชนิดที่นิยมนํามาใช้งานในการขยายสัญญาณ และใช้งานในหน้าที่ต่าง ๆเช่นเดียวกับ ทรานซิสเตอร์นับวันเฟตยิ่งมีบทบาทเพิ่มมากขึ้นในการนําไปใช้งาน
18.ขั้วเดียว(Unipolar)
...
19.สองขั้ว(Bipolar)
...
20.จังชันเฟต(Junction FET)
...หรือเรียกง่ายๆว่า เจเฟต แบ่งออกเป็น 2 ชนิดคือ ชนิดพีแชนแนล และชนิดเอ็นแชนแนล
21.ดีพลีชันมอสเฟต(Depletion MOSFET)
...หรือ D-MOSFET แบ่งออกเป็น 2 ชนิดคือ ชนิดPแชนแนล และชนิด Nแชลแนล
22.เอนฮานซ์เมนต์มอสเฟต(Enhancement MOSFET)
...หรือ E-MOSFET แบ่งเป็น 2 ชนิดคือ ชนิดPแชนแนล และชนิด Nแชลแนล
23.ซิลิคอนไดออกไซต์(Silicon Dioxide)
...
24.คุณสมบัติ(Characteristics)
...
25.แชนแนล(Channel)
...
สมัครสมาชิก:
ส่งความคิดเห็น (Atom)
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น